آنچه ممکن است ریخته گری سامسونگ پس از رسیدن به گره 2NM در سال جاری انجام دهد تکان دهنده است

به گزارش بخش موبایل رسانه اخبار تکنولوژی تک فاکس،

سامسونگ Foundry چندین سال است که دارای مشکلات بازده است و عملکرد کم امسال در 3 نانومتر منجر به تأخیر در تولید پردازنده برنامه 3NM Exynos 2500 (AP) شد. با تشکر از تأخیر ، سامسونگ مجبور شد با استفاده از Qualcomm Snapdragon 8 Elite AP در تمام مدلهای پرچمدار خود ، مسئله کمبود احتمالی را برطرف کند Galaxy S25 Line. در ابتدا این طرح استفاده از Qualcomm SoC در همه بود تلفن های فوق العاده Galaxy S25 و Galaxy S25 وت Galaxy S25+ واحدها در ایالات متحده ، کانادا و چین. همه مدل های دیگر Exynos 2500 را ورزش می کنند.

سال آینده Exynos 2600 شایعه شده است که با استفاده از گره 2NM ساخته می شود که سامسونگ ریخته گری در اواخر سال جاری تولید انبوه است. اما بازده آزمایش در این گره نیز ضعیف است (30 ٪) حتی اگر صحبت از بهبود کلی در بازده ریخته گری شده است. سامسونگ Foundry در حال حاضر دارای 8.2 ٪ از صنعت ریخته گری قرارداد در مقایسه با 67.1 ٪ برای TSMC طبق TSMC است. روزانه اقتصادی کرهبشر

TSMC تعداد زیادی از فوق ستاره های فناوری را به عنوان مشتری از جمله دارد Apple ، Nvidia ، Qualcomm ، MediaTek ، Broadcom و Intel. ممکن است از دیدن اینتل در این لیست شگفت زده شوید زیرا Chipmaker تجارت خود را در زمینه CONTRAPT CONTRAPT خود آغاز کرده است. با وجود این ، اینتل هنوز هم باید برخی از تولیدات خود را به TSMC برون سپاری کند.

بنابراین بعد از 2NM برای صنعت چیست؟ تمام نامهای بزرگ غیر مجاز مانند TSMC ، Samsung Foundry و Intel در حال کشف تولید در یک گره 1.4 نیوتن متر هستند. اما اکنون این کلمه از طریق صنعت نشتی jukanlosreve است که سامسونگ Foundry در نظر دارد برنامه های خود را برای تولید تراشه ها در یک گره 1.4 نانومتری رها کند. این می تواند یک مشکل جدی برای ریخته گری سامسونگ باشد. برای درک این همه معنی ، بیایید با استفاده از یک توضیح ساده به این موضوع نگاه کنیم.

به طور معمول ، هرچه ترانزیستورهای بیشتری که در داخل یک تراشه قرار دارند ، تراشه قدرتمندتر و با انرژی بیشتری داشته باشد. کاهش گره فرآیند به این معنی است که از ترانزیستورهای کوچکتر استفاده می شود و باعث افزایش تعداد ترانزیستور و تراکم ترانزیستور می شود. دومی تعداد ترانزیستورهای موجود در یک منطقه خاص از یک تراشه را ردیابی می کند. به عنوان مثال ، تراشه A13 Bionic که از آیفون 11 Pro Max استفاده می کند با استفاده از گره فرآیند 7 نانومتر TSMC ساخته شده و 8.5 میلیارد ترانزیستور را حمل می کند.

ویفر سیلیکون در تصویری از وب سایت ریخته گری سامسونگ برجسته شده است.

سامسونگ ریخته گری هنوز با بازده تولید خود در گره های پیشرفته روبرو است. | تصویر اعتبار سامسونگ تصویر

به سرعت به سمت تراشه قدرتمندتر و کارآمدتر A18 Pro که برای تأمین نیرو استفاده می شود آیفون 16 طرفدار و iPhone 16 Pro Max. این توسط TSMC با استفاده از گره دوم نسل دوم خود ساخته شده است و در حالی که اپل تعداد ترانزیستور را منتشر نکرده است ، گمان می رود بیش از 20 میلیارد باشد.

ریخته گری سامسونگ باید بازده خود را بهبود بخشد. در غیر این صورت شانس خوبی وجود دارد که ریخته گری دیگر تراشه هایی را در گره های پیشرفته تولید نکند و به تولید تراشه ها برای صنایع خاصی که نیاز به استفاده از گره های فرآیند قدیمی دارند ، بچسبانند. در نتیجه ، سامسونگ ممکن است مجبور شود به استفاده از تراشه های Qualcomm در تمام پرچمداران خود ادامه دهد تلفن های تاشو که می توانند در قیمت گذاری آن تلفن ها تأثیر بگذارند ، زیرا تولید کننده ارزان تر است که سیلیکون خود را برای دستگاه های خود تهیه کند تا اینکه قطعاتی را از Qualcomm خریداری کند.